STW3N170 STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 205.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW3N170 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW3N170 за ціною від 189.40 грн до 516.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW3N170 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 0.16W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STW3N170 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1700V; 1.6A; Idm: 10.4A; 0.16W Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 1.6A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 0.16W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 13Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |