Продукція > STMICROELECTRONICS > STW3N170
STW3N170

STW3N170 STMicroelectronics

stw3n170.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+441.15 грн
30+208.70 грн
120+186.57 грн
510+171.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW3N170 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STW3N170 за ціною від 207.89 грн до 583.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW3N170 STW3N170 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002862998-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STW3N170 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.7 kV, 2.6 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+515.57 грн
10+511.99 грн
100+256.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170 STW3N170 Виробник : STMicroelectronics stw3n170.pdf MOSFETs N-channel 1700 V, 7 Ohm typ 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+583.58 грн
25+291.29 грн
100+222.23 грн
250+207.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170 STW3N170 Виробник : STMicroelectronics dm00071176.pdf Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170 STW3N170 Виробник : STMicroelectronics dm00071176.pdf Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW3N170 Виробник : STMicroelectronics dm00071176.pdf Trans MOSFET N-CH 1.7KV 2.3A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.