STW40N60M2-4

STW40N60M2-4 STMicroelectronics


stw40n60m2_4-2956124.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 78 mOhm typ 34 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+629.13 грн
10+532.16 грн
25+419.34 грн
100+384.76 грн
250+362.69 грн
600+340.62 грн
1200+305.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW40N60M2-4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW40N60M2-4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW40N60M2-4 Виробник : STMicroelectronics stw40n60m2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2-4 STW40N60M2-4 Виробник : STMicroelectronics en.DM00089185.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW40N60M2-4 Виробник : STMicroelectronics stw40n60m2-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 22A; Idm: 136A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 88mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.