STW40N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 210.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW40N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW40N65M2 за ціною від 193.01 грн до 550.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW40N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW40N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 32 A, 0.087 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STW40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 20A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 87mΩ Pulsed drain current: 128A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STW40N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 128A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 56.5nC Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain current: 20A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 87mΩ Pulsed drain current: 128A |
товару немає в наявності |