
STW42N60M2-EP STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 546.27 грн |
10+ | 527.50 грн |
25+ | 377.23 грн |
100+ | 341.27 грн |
250+ | 304.57 грн |
600+ | 273.01 грн |
1200+ | 262.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW42N60M2-EP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW42N60M2-EP за ціною від 285.86 грн до 607.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW42N60M2-EP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STW42N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |