STW43N60DM2

STW43N60DM2 STMicroelectronics


779dm00207716.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 746 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW43N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW43N60DM2 за ціною від 229.06 грн до 463.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW43N60DM2 STW43N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STW43N60DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+398.30 грн
30+233.35 грн
120+229.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW43N60DM2 STW43N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STW43N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+463.35 грн
25+284.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW43N60DM2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5D481FEC0D2&compId=stw43n60dm2.pdf?ci_sign=67af73fb2a420579a9a2844c36e5eff1eb19d32b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW43N60DM2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B5D481FEC0D2&compId=stw43n60dm2.pdf?ci_sign=67af73fb2a420579a9a2844c36e5eff1eb19d32b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; Idm: 136A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 136A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.