STW45N60DM2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 563.13 грн |
| 3+ | 331.02 грн |
| 8+ | 313.44 грн |
| 25+ | 312.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW45N60DM2AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STW45N60DM2AG за ціною від 239.25 грн до 675.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STW45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Power dissipation: 250W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STW45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STW45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STW45N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |