STW45N60DM2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 21A; 250W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 479.52 грн |
| 10+ | 333.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW45N60DM2AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO247, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 17A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±25V, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.
Інші пропозиції STW45N60DM2AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW45N60DM2AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i |
на замовлення 428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW45N60DM2AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)