STW45N60DM6 STMicroelectronics
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW45N60DM6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW45N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW45N60DM6 за ціною від 332.47 грн до 618.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW45N60DM6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW45N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STW45N60DM6 Код товару: 168776
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
STW45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STW45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STW45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STW45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STW45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STW45N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Pulsed drain current: 95A Power dissipation: 210W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 99mΩ Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |