STW45N65M5 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 482.90 грн |
| 50+ | 409.18 грн |
| 100+ | 385.46 грн |
| 200+ | 349.31 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
30 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW45N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 210W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm.
Інші пропозиції STW45N65M5 за ціною від 279.84 грн до 625.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STW45N65M5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STW45N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW45N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V Power Dissipation (Max): 210W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V |
на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW45N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS |
на замовлення 658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STW45N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 210W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 491.10 грн |
| 10+ | 486.44 грн |
| 25+ | 418.61 грн |
| 50+ | 399.62 грн |
| 100+ | 368.25 грн |
| STW45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 493.08 грн |
| 30+ | 488.40 грн |
| 34+ | 420.30 грн |
| 50+ | 401.24 грн |
| 100+ | 369.73 грн |
| STW45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 210W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3375 pF @ 100 V
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 625.84 грн |
| 30+ | 353.00 грн |
| 60+ | 323.23 грн |
| 120+ | 279.84 грн |
| STW45N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
MOSFETs N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STW45N65M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.067 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 210W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)