Продукція > STW > STW45NM50
STW45NM50

STW45NM50

en.CD00002789.pdf
Код товару: 73997
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW45NM50

  • MOSFET, N, TO-247
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:500V
  • Cont Current Id:45A
  • On State Resistance:0.1ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:TO-247
  • Termination Type:Through Hole
  • Alternate Case Style:SOT-249
  • Max Junction Temperature Tj:150`C
  • Max Voltage Vds:550V
  • Min Junction Temperature, Tj:-55`C
  • Min Voltage Vgs th:3V
  • N-channel Gate Charge:117nC
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.1ohm
  • Power Dissipation Pd:417W
  • Pulse Current Idm:180A
  • Rds Measurement Voltage:10V
  • Voltage Vds:550V
  • Voltage Vgs Rds N Channel:10V
  • Transistor Case Style:TO-247

Інші пропозиції STW45NM50 за ціною від 430.31 грн до 916.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW45NM50 STW45NM50 STMicroelectronics stw45nm50.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 28.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+863.43 грн
5+651.69 грн
10+562.97 грн
30+465.14 грн
120+430.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 STW45NM50 STMicroelectronics en.CD00002789.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+916.72 грн
30+482.20 грн
120+461.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 STW45NM50 STMicroelectronics en.CD00002789.pdf description MOSFETs N-Ch 500 Volt 45 Amp
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 STMICROELECTRONICS en.CD00002789.pdf description Description: STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - MOSFET, N-KANAL, 550V, 45A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 description stw45nm50.pdf
STW45NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 28.4A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 500V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 306 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+863.43 грн
5+651.69 грн
10+562.97 грн
30+465.14 грн
120+430.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 description en.CD00002789.pdf
STW45NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+916.72 грн
30+482.20 грн
120+461.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 description en.CD00002789.pdf
STW45NM50
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 45 Amp
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW45NM50 description en.CD00002789.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - MOSFET, N-KANAL, 550V, 45A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 417W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.