STW45NM50
Код товару: 73997
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
8542 39 90 00
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW45NM50
- MOSFET, N, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:500V
- Cont Current Id:45A
- On State Resistance:0.1ohm
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Case Style:TO-247
- Termination Type:Through Hole
- Alternate Case Style:SOT-249
- Max Junction Temperature Tj:150`C
- Max Voltage Vds:550V
- Min Junction Temperature, Tj:-55`C
- Min Voltage Vgs th:3V
- N-channel Gate Charge:117nC
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- On State resistance @ Vgs = 10V:0.1ohm
- Power Dissipation Pd:417W
- Pulse Current Idm:180A
- Rds Measurement Voltage:10V
- Voltage Vds:550V
- Voltage Vgs Rds N Channel:10V
- Transistor Case Style:TO-247
Інші пропозиції STW45NM50 за ціною від 414.70 грн до 970.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 28.4A; 390W; TO247 Case: TO247 Mounting: THT Kind of package: tube Technology: MDmesh™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.1Ω Drain current: 28.4A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 390W Drain-source voltage: 500V Kind of channel: enhancement |
на замовлення 306 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 45A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 22.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW45NM50 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 45 Amp |
на замовлення 1348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW45NM50 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW45NM50 - MOSFET, N-KANAL, 550V, 45A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 550V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 417W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STW45NM50 | Виробник : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |