
STW48N60DM2 STMicroelectronics
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
600+ | 175.94 грн |
3000+ | 172.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW48N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW48N60DM2 за ціною від 148.65 грн до 415.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 160A Gate charge: 70nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 160A Gate charge: 70nC |
товару немає в наявності |