STW48N60DM2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 412.44 грн |
| 30+ | 224.65 грн |
| 120+ | 186.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW48N60DM2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 40A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW48N60DM2 за ціною від 151.94 грн до 432.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STW48N60DM2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; Idm: 160A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A Pulsed drain current: 160A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |