
STW48N60M2-4 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 26A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 656.99 грн |
3+ | 394.48 грн |
7+ | 373.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW48N60M2-4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW48N60M2-4 за ціною від 378.37 грн до 788.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |