STW48N60M2-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 638.29 грн |
| 30+ | 360.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW48N60M2-4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW48N60M2-4 за ціною від 375.36 грн до 788.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STW48N60M2-4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ 42 A MDmesh M2 Power MOSFET |
товару немає в наявності |