
STW48N60M2 STMicroelectronics
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
600+ | 164.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW48N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW48N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 42 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW48N60M2 за ціною від 150.45 грн до 665.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 524 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 26A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW48N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |