Продукція > STMICROELECTRONICS > STW48N60M6-4
STW48N60M6-4

STW48N60M6-4 STMicroelectronics

stw48n60m6-4.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 140A
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 57nC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+606.77 грн
3+391.42 грн
7+370.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW48N60M6-4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW48N60M6-4 за ціною від 325.12 грн до 728.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 Виробник : STMicroelectronics stw48n60m6_4-1588893.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ 39 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+702.11 грн
10+592.48 грн
25+467.50 грн
100+429.34 грн
250+404.38 грн
600+325.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 Виробник : STMicroelectronics stw48n60m6-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 140A
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 57nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+728.12 грн
3+487.77 грн
7+444.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 Виробник : STMicroelectronics en.dm00523634.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 Виробник : STMicroelectronics en.dm00523634.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 Виробник : STMicroelectronics en.dm00523634.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 39A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW48N60M6-4 STW48N60M6-4 Виробник : STMicroelectronics stw48n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.