STW48N60M6

STW48N60M6 STMicroelectronics


stw48n60m6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW48N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 39A TO247, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2578 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 19.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STW48N60M6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW48N60M6 STW48N60M6 Виробник : STMicroelectronics stw48n60m6.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 61 mOhm typ., 39 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.