
STW4N150 STMicroelectronics
на замовлення 21150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
600+ | 241.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW4N150 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW4N150 за ціною від 209.28 грн до 644.56 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 6984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247 Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: PowerMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247 |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 25986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 25986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247 Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A On-state resistance: 7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: PowerMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Case: TO247 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STW4N150 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 19390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STW4N150 Код товару: 62477
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW4N150 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |