Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STW4N150

STW4N150

en.CD00050744.pdf
Код товару: 62477
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW4N150 за ціною від 196.27 грн до 524.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics stfw4n150.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+382.23 грн
38+378.40 грн
60+313.97 грн
120+299.80 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics stfw4n150.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+382.52 грн
30+378.68 грн
60+314.21 грн
120+300.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics stfw4n150.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+383.93 грн
60+317.68 грн
120+303.30 грн
510+261.38 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics stfw4n150.pdf Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.97 грн
30+388.14 грн
60+321.16 грн
120+306.62 грн
510+264.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics STP4N150.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Technology: PowerMesh™
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+481.34 грн
5+377.54 грн
10+350.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics en.CD00050744.pdf Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.54 грн
30+290.73 грн
60+265.15 грн
120+228.65 грн
510+196.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMicroelectronics en.CD00050744.pdf MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STW4N150 STMICROELECTRONICS en.CD00050744.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 ST en.CD00050744.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 7Ohm; 4A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW4N150 TSTW4N150
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+201.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 stfw4n150.pdf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+382.23 грн
38+378.40 грн
60+313.97 грн
120+299.80 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 stfw4n150.pdf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+382.52 грн
30+378.68 грн
60+314.21 грн
120+300.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 stfw4n150.pdf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+383.93 грн
60+317.68 грн
120+303.30 грн
510+261.38 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 stfw4n150.pdf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+391.97 грн
30+388.14 грн
60+321.16 грн
120+306.62 грн
510+264.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 STP4N150.pdf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO247
Mounting: THT
Case: TO247
Kind of package: tube
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Technology: PowerMesh™
Drain current: 2.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.5kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+481.34 грн
5+377.54 грн
10+350.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 en.CD00050744.pdf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.54 грн
30+290.73 грн
60+265.15 грн
120+228.65 грн
510+196.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 en.CD00050744.pdf
STW4N150
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1500 V PowerMesh
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 en.CD00050744.pdf
STW4N150
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 4275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW4N150 en.CD00050744.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 1500V; 30V; 7Ohm; 4A; 160W; -55°C ~ 150°C; STW4N150 TSTW4N150
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+201.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.