STW50N65DM2AG STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 531.44 грн |
| 30+ | 295.05 грн |
| 60+ | 269.16 грн |
| 120+ | 232.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW50N65DM2AG STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; 300W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM2, Power dissipation: 300W, Case: TO247, Mounting: THT, Kind of package: tube, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 70mΩ, Polarisation: unipolar, Drain current: 24A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V.
Інші пропозиції STW50N65DM2AG за ціною від 222.32 грн до 575.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW50N65DM2AG | STMicroelectronics |
 MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i |
на замовлення 610 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| STW50N65DM2AG |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
на замовлення 610 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 575.92 грн |
| 10+ | 298.56 грн |
| 100+ | 239.14 грн |
| 600+ | 222.32 грн |