STW50N65DM6

STW50N65DM6 STMICROELECTRONICS


3047995.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW50N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.074 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+700.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW50N65DM6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STW50N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.074 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STW50N65DM6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW50N65DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00670168.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6 STW50N65DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00670168.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6 Виробник : STMicroelectronics en.dm00670168.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stw50n65dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
On-state resistance: 91mΩ
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6 STW50N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stw50n65dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stw50n65dm6-1826701.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW50N65DM6 Виробник : STMicroelectronics stw50n65dm6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Case: TO247
Mounting: THT
Gate charge: 52.5nC
Kind of package: tube
Technology: MDmesh™ DM6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
On-state resistance: 91mΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.