
STW50N65DM6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STW50N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.074 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 700.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW50N65DM6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW50N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 33 A, 0.074 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.074ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW50N65DM6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STW50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STW50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STW50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STW50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A On-state resistance: 91mΩ Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STW50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Long Leads Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52500 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
STW50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STW50N65DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 21A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Case: TO247 Mounting: THT Gate charge: 52.5nC Kind of package: tube Technology: MDmesh™ DM6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 120A Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A On-state resistance: 91mΩ Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |