STW50NB20
Код товару: 1976
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-247
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STW50NB20
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| STW50NB20 | STM |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
|
STW50NB20 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. |
|
STW50NB20 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200 Volt 50 Amp |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STW50NB20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STW50NB20 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200 Volt 50 Amp
MOSFETs N-Ch 200 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.




