
STW52NK25Z STMicroelectronics
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 539.56 грн |
10+ | 446.48 грн |
100+ | 314.75 грн |
600+ | 279.12 грн |
1200+ | 239.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW52NK25Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW52NK25Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 26 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW52NK25Z за ціною від 113.35 грн до 646.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STW52NK25Z | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z Код товару: 109598
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 32.76A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 32.76A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STW52NK25Z | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 32.76A; 300W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 32.76A Power dissipation: 300W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |