STW55NM50N
Виробник:
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW55NM50N
Description: MOSFET N-CH 500V 54A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-247-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 27A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STW55NM50N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STW55NM50N | Виробник : STM |
Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STW55NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 54A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 27A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STW55NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 500V, 54 A Power II Mdmesh |
товару немає в наявності |