Продукція > STMICROELECTRONICS > STW56N60DM2
STW56N60DM2

STW56N60DM2 STMicroelectronics

STW56N60DM2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+693.06 грн
30+390.71 грн
60+357.71 грн
120+309.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW56N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 360W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.

Інші пропозиції STW56N60DM2 за ціною від 1110.99 грн до 1110.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW56N60DM2 STW56N60DM2 STMicroelectronics 15065490338993116.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1110.99 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 STW56N60DM2 STMicroelectronics STW56N60DM2.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 STW56N60DM2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001541180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 15065490338993116.pdf
STW56N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+1110.99 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 STW56N60DM2.pdf
STW56N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 SGST-S-A0001541180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW56N60DM2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.