Продукція > STMICROELECTRONICS > STW56N60DM2
STW56N60DM2

STW56N60DM2 STMicroelectronics

STW56N60DM2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+840.73 грн
30+486.70 грн
120+415.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW56N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STW56N60DM2 за ціною від 425.67 грн до 980.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW56N60DM2 STW56N60DM2 Виробник : STMICROELECTRONICS STW56N60DM2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+946.79 грн
5+936.91 грн
10+926.21 грн
50+526.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 STW56N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stw56n60dm2-1851989.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+980.38 грн
25+581.51 грн
100+431.54 грн
250+425.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 STW56N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 15065490338993116.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 15065490338993116.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STW56N60DM2.pdf STW56N60DM2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N60DM2 STW56N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 15065490338993116.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.