STW56N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 52A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 100 V
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 511.15 грн |
| 30+ | 334.01 грн |
| 120+ | 315.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW56N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW56N60M2 за ціною від 307.33 грн до 601.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW56N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW56N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 52 A, 0.045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW56N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ 52 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 1218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW56N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STW56N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STW56N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STW56N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STW56N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 33A Pulsed drain current: 208A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 91nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |