STW56N65DM2

STW56N65DM2 STMicroelectronics


1506608579198724dm001.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+442.48 грн
1200+435.26 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW56N65DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW56N65DM2 за ціною від 380.67 грн до 831.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics 1506608579198724dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+474.08 грн
1200+466.35 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C1EF19FD5E28&compId=STW56N65DM2-DTE.pdf?ci_sign=014030dd2619b39ad0d4d3a44f5c254dbcac94b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+692.96 грн
2+556.40 грн
5+526.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics STW56N65DM2.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+799.58 грн
10+477.09 грн
100+397.38 грн
600+380.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C1EF19FD5E28&compId=STW56N65DM2-DTE.pdf?ci_sign=014030dd2619b39ad0d4d3a44f5c254dbcac94b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+831.56 грн
2+693.36 грн
5+631.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics 1506608579198724dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics 1506608579198724dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics STW56N65DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.