Продукція > STMICROELECTRONICS > STW56N65DM2
STW56N65DM2

STW56N65DM2 STMicroelectronics

1506608579198724dm001.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+461.72 грн
1200+454.18 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW56N65DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW56N65DM2 за ціною від 377.40 грн до 891.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics 1506608579198724dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+494.70 грн
1200+486.62 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics STW56N65DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics STW56N65DM2-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 360W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+803.67 грн
30+666.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics STW56N65DM2.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+891.69 грн
10+688.39 грн
100+498.70 грн
600+419.42 грн
1200+377.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics 1506608579198724dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics 1506608579198724dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65DM2 STW56N65DM2 Виробник : STMicroelectronics STW56N65DM2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.