STW56N65M2-4

STW56N65M2-4 STMicroelectronics


716118993956648dm00152443.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW56N65M2-4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 358W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW56N65M2-4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW56N65M2-4 Виробник : STMicroelectronics 716118993956648dm00152443.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4 Виробник : STMicroelectronics en.DM00152443.pdf STW56N65M2-4 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4 STW56N65M2-4 Виробник : STMicroelectronics 716118993956648dm00152443.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 49A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4 STW56N65M2-4 Виробник : STMicroelectronics en.DM00152443.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2-4 STW56N65M2-4 Виробник : STMicroelectronics stw56n65m2_4-1851990.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.