Продукція > STMICROELECTRONICS > STW56N65M2
STW56N65M2

STW56N65M2 STMicroelectronics

stw56n65m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31A; Idm: 196A; 358W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31A
Pulsed drain current: 196A
Power dissipation: 358W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+626.12 грн
5+479.88 грн
10+421.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW56N65M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 358W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW56N65M2 за ціною від 391.57 грн до 689.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW56N65M2 STW56N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00151747.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.22 грн
30+391.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 STW56N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00151747.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.