Продукція > STMICROELECTRONICS > STW56N65M2
STW56N65M2

STW56N65M2 STMicroelectronics

en.DM00151747.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 49A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 24.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 358W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 100 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+676.44 грн
30+384.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW56N65M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW56N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 358W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STW56N65M2 за ціною від 368.55 грн до 725.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW56N65M2 STW56N65M2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000954484-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STW56N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 49 A, 0.049 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 49A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 358W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+725.42 грн
5+624.74 грн
10+523.23 грн
50+465.93 грн
100+411.70 грн
250+368.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 STW56N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716053207967508dm00151747.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716053207967508dm00151747.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 STW56N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716053207967508dm00151747.pdf STW56N65M2 STMicroelectronics MOSFETs Transistor N-CH 650V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - Arrow.com
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00151747.pdf STW56N65M2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW56N65M2 STW56N65M2 Виробник : STMicroelectronics stw56n65m2-1852163.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ 49 A MDmesh M2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.