Продукція > STMICROELECTRONICS > STW57N65M5-4
STW57N65M5-4

STW57N65M5-4 STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C416F0BB5E28&compId=STW57N65M5-4-DTE.pdf?ci_sign=4cbd6285023f6268598e6ceebfc1c95fa178c344 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Technology: MDmesh™ V
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+996.39 грн
2+549.54 грн
5+519.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW57N65M5-4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW57N65M5-4 за ціною від 623.16 грн до 1195.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW57N65M5-4 STW57N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B796C416F0BB5E28&compId=STW57N65M5-4-DTE.pdf?ci_sign=4cbd6285023f6268598e6ceebfc1c95fa178c344 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 26.5A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Version: ESD
Technology: MDmesh™ V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1195.67 грн
2+684.81 грн
5+623.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4 STW57N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics 1422264239367040dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics 1422264239367040dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4 STW57N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics 1422264239367040dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4 STW57N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics en.DM00082709.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5-4 STW57N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics stw57n65m5_4-1852197.pdf MOSFETs N-chanel 650 V 0.056 Ohm typ 42 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.