STW57N65M5 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 724.51 грн |
| 10+ | 476.10 грн |
| 100+ | 345.00 грн |
| 600+ | 307.37 грн |
| 1200+ | 306.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW57N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW57N65M5 за ціною від 397.11 грн до 809.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
|
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| STW57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 26.5A Pulsed drain current: 168A Power dissipation: 250W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 56mΩ Mounting: THT Gate charge: 98nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |