Продукція > STMICROELECTRONICS > STW57N65M5
STW57N65M5

STW57N65M5 STMicroelectronics

dm00049152.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+419.50 грн
1200+417.90 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW57N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STW57N65M5 за ціною від 408.48 грн до 832.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW57N65M5 STW57N65M5 STMicroelectronics dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
600+419.50 грн
1200+417.90 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 STW57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.12 грн
30+479.12 грн
120+408.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 STW57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 STW57N65M5 STMICROELECTRONICS 2124346.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 STMicroelectronics en.DM00049152.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 dm00049152.pdf
STW57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
600+419.50 грн
1200+417.90 грн
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 en.DM00049152.pdf
STW57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+832.12 грн
30+479.12 грн
120+408.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 en.DM00049152.pdf
STW57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 2124346.pdf
STW57N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 42 A, 0.056 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 en.DM00049152.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.