Продукція > STMICROELECTRONICS > STW57N65M5
STW57N65M5

STW57N65M5 STMicroelectronics

en.DM00049152.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+638.24 грн
30+391.85 грн
120+383.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW57N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 42A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW57N65M5 за ціною від 347.24 грн до 694.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW57N65M5 STW57N65M5 Виробник : STMicroelectronics stw57n65m5-1852164.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+694.36 грн
10+667.52 грн
25+379.61 грн
100+376.67 грн
250+370.05 грн
600+349.45 грн
1200+347.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049152.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 STW57N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 Виробник : STMicroelectronics stw57n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 STW57N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm00049152.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW57N65M5 Виробник : STMicroelectronics stw57n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 26.5A; Idm: 168A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 26.5A
Pulsed drain current: 168A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 56mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.