STW58N60DM2AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 810.65 грн |
| 5+ | 634.09 грн |
| 10+ | 456.68 грн |
| 50+ | 390.17 грн |
| 100+ | 348.51 грн |
| 250+ | 336.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW58N60DM2AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STW58N60DM2AG за ціною від 354.13 грн до 837.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW58N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW58N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STW58N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STW58N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 50A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
STW58N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 50A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STW58N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; Idm: 200A; 360W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 31A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 360W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 52mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |