STW58N60DM2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 0.052 Ohm typ., 50 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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Технічний опис STW58N60DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 360W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm.
Інші пропозиції STW58N60DM2AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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STW58N60DM2AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 360W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm |
на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STW58N60DM2AG |
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Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STW58N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.052 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)