STW58N65DM2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 912.74 грн |
| 10+ | 792.51 грн |
| 25+ | 670.79 грн |
| 50+ | 633.36 грн |
| 100+ | 595.93 грн |
| 250+ | 577.59 грн |
| 600+ | 479.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW58N65DM2AG STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції STW58N65DM2AG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW58N65DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| STW58N65DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
STW58N65DM2AG THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
| STW58N65DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STW58N65DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 48A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STW58N65DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |