Продукція > STMICROELECTRONICS > STW62N65M5

STW62N65M5 STMicroelectronics

Name: STW62N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 12965126-3
Price: 965.07 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 590 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	965.07 грн
30+	563.87 грн
120+	483.84 грн
510+	410.64 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STW62N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW62N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STW62N65M5

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STW62N65M5	STMicroelectronics	MOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5	на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	STW62N65M5	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STW62N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

STW62N65M5

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5

на замовлення 1060 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

STW62N65M5

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW62N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 46 A, 0.041 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 592 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.