
STW65N023M9-4 STMicroelectronics
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1336.57 грн |
10+ | 1185.81 грн |
30+ | 854.27 грн |
120+ | 853.54 грн |
510+ | 832.25 грн |
1020+ | 689.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW65N023M9-4 STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V, Power Dissipation (Max): 463W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V.
Інші пропозиції STW65N023M9-4 за ціною від 907.60 грн до 1033.65 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STW65N023M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
STW65N023M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |