Продукція > STMICROELECTRONICS > STW65N023M9-4
STW65N023M9-4

STW65N023M9-4 STMicroelectronics

stw65n023m9-4.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1226.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW65N023M9-4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW65N023M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 95A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 463W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STW65N023M9-4 за ціною від 701.45 грн до 1353.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW65N023M9-4 STW65N023M9-4 Виробник : STMicroelectronics stw65n023m9-4.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1322.44 грн
10+811.89 грн
120+705.23 грн
1020+701.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4 STW65N023M9-4 Виробник : STMICROELECTRONICS 3968620.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW65N023M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 95 A, 0.0199 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 463W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0199ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1353.07 грн
5+1200.27 грн
10+1046.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4 Виробник : STMicroelectronics stw65n023m9-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+898.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4 Виробник : STMicroelectronics stw65n023m9-4.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
600+917.78 грн
Мінімальне замовлення: 600
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4 Виробник : STMicroelectronics stw65n023m9-4.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW65N023M9-4 Виробник : STMicroelectronics stw65n023m9-4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 92A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.