STW65N023M9-4

STW65N023M9-4 STMicroelectronics


stw65n023m9-4.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 19.9 mOhm typ., 95 A MDmesh M9 Power MOSFET
на замовлення 27 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1552.3 грн
10+ 1410.65 грн
30+ 1172.05 грн
120+ 1047.52 грн
270+ 998.9 грн
510+ 950.96 грн
1020+ 895.68 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW65N023M9-4 STMicroelectronics

Description: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V, Power Dissipation (Max): 463W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V.

Інші пропозиції STW65N023M9-4 за ціною від 1374.25 грн до 1547.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW65N023M9-4 Виробник : STMicroelectronics stw65n023m9-4.pdf Description: N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 463W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8844 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1547.34 грн
10+ 1374.25 грн