STW65N045M9-4 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 683.60 грн |
| 10+ | 510.39 грн |
| 120+ | 369.96 грн |
| 510+ | 329.55 грн |
| 1020+ | 293.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW65N045M9-4 STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-247-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.
Інші пропозиції STW65N045M9-4 за ціною від 674.73 грн до 877.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STW65N045M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247-4 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-4 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|