STW65N045M9-4 STMicroelectronics
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 775.61 грн |
| 10+ | 579.69 грн |
| 120+ | 439.93 грн |
| 1020+ | 332.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW65N045M9-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW65N045M9-4 за ціною від 702.67 грн до 970.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW65N045M9-4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STW65N045M9-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 54 A, 0.039 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 312W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STW65N045M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 400 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| STW65N045M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STW65N045M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STW65N045M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 54A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STW65N045M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 34A; Idm: 170A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 312W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STW65N045M9-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M9; unipolar; 650V; 34A; Idm: 170A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M9 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 34A Pulsed drain current: 170A Power dissipation: 312W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |