STW65N60DM6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 38A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 395.36 грн |
| 10+ | 276.21 грн |
| 100+ | 270.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW65N60DM6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: MDmesh™ DM6, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 29A, Pulsed drain current: 140A, Case: TO247, On-state resistance: 71mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 65.2nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±25V, Power dissipation: 368W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції STW65N60DM6 за ціною від 308.06 грн до 415.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW65N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
на замовлення 596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
STW65N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| STW65N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
| STW65N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 140A Case: TO247 On-state resistance: 71mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 368W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| STW65N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Pulsed drain current: 140A Case: TO247 On-state resistance: 71mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.2nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 368W |
товару немає в наявності |