STW68N60M6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 862.42 грн |
| 5+ | 835.19 грн |
| 10+ | 807.13 грн |
| 50+ | 493.52 грн |
| 100+ | 422.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW68N60M6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW68N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 63 A, 0.035 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW68N60M6 за ціною від 447.29 грн до 894.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW68N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ 63 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW68N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STW68N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 63A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STW68N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
STW68N60M6 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STW68N60M6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 31.5A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |