STW68N65DM6-4AG STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW68N65DM6-4AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 778.40 грн |
| 5+ | 691.81 грн |
| 10+ | 606.08 грн |
| 50+ | 482.39 грн |
| 100+ | 436.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW68N65DM6-4AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW68N65DM6-4AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 72 A, 0.033 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW68N65DM6-4AG за ціною від 451.45 грн до 794.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW68N65DM6-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STW68N65DM6-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STW68N65DM6-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 72A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STW68N65DM6-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 72A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STW68N65DM6-4AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 46A; Idm: 280A; 480W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 46A Pulsed drain current: 280A Power dissipation: 480W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 118nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |