STW69N65M5-4

STW69N65M5-4 STMicroelectronics


en.DM00089118.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
на замовлення 385 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+805.43 грн
10+541.99 грн
100+451.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW69N65M5-4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW69N65M5-4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW69N65M5-4 STW69N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics 1017061660576903dm00089118.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics 1017061660576903dm00089118.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 STW69N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics 1017061660576903dm00089118.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B625DC87A0D2&compId=stw69n65m5-4.pdf?ci_sign=e53bbc0b1d2e4d936b18ef5cbd34aef0112a58a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 36.5A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 STW69N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics stw69n65m5_4-1851926.pdf MOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B625DC87A0D2&compId=stw69n65m5-4.pdf?ci_sign=e53bbc0b1d2e4d936b18ef5cbd34aef0112a58a2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 36.5A
Pulsed drain current: 232A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 143nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.