STW69N65M5-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 914.30 грн |
| 30+ | 533.02 грн |
| 120+ | 456.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW69N65M5-4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW69N65M5-4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STW69N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
| STW69N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||
 |
STW69N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
STW69N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A |
товару немає в наявності |
|
| STW69N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 710V Drain current: 36.5A Power dissipation: 330W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Gate charge: 143nC Pulsed drain current: 232A |
товару немає в наявності |