Продукція > STMICROELECTRONICS > STW69N65M5-4
STW69N65M5-4

STW69N65M5-4 STMicroelectronics

en.DM00089118.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4L
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+944.65 грн
30+550.50 грн
60+507.75 грн
120+442.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW69N65M5-4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247-4L, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STW69N65M5-4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW69N65M5-4 STW69N65M5-4 STMicroelectronics en.DM00089118.pdf MOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 STMicroelectronics stw69n65m5-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 232A
Gate charge: 143nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 STW69N65M5-4 STMicroelectronics 1017061660576903dm00089118.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 en.DM00089118.pdf
STW69N65M5-4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 650V 0.037Ohm 58A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 stw69n65m5-4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 36.5A; Idm: 232A; 330W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 36.5A
Power dissipation: 330W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 232A
Gate charge: 143nC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW69N65M5-4 1017061660576903dm00089118.pdf
STW69N65M5-4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.