STW69N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 58A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 727.91 грн |
| 30+ | 456.68 грн |
| 120+ | 447.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW69N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STW69N65M5 за ціною від 414.16 грн до 956.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW69N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |