STW69N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 568.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW69N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW69N65M5 за ціною від 450.43 грн до 1201.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 58A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6420 pF @ 100 V |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW69N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW69N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 58 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 58A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh M5 MOS |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36.5A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 36.5A; 330W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 36.5A Power dissipation: 330W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 37mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STW69N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 58A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |