STW6N90K5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 233.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW6N90K5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW6N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 0.91 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.91ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW6N90K5 за ціною від 73.58 грн до 250.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package |
на замовлення 1618 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STW6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STW6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STW6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STW6N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 4A; Idm: 24A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 110W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 11nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |