STW6N95K5 STMicroelectronics
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW6N95K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW6N95K5 за ціною від 74.48 грн до 225.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 12718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STW6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 950V 9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 100 V |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STW6N95K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW6N95K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 9 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 950V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STW6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 12718 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
STW6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5 |
на замовлення 2719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
STW6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| STW6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| STW6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| STW6N95K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 950V; 6A; Idm: 24A; 90W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 90W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |