Продукція > STMICROELECTRONICS > STW70N60DM6-4
STW70N60DM6-4

STW70N60DM6-4 STMicroelectronics

stw70n60dm6-4.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1071.11 грн
2+688.80 грн
4+651.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW70N60DM6-4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW70N60DM6-4 за ціною від 558.50 грн до 1285.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics stw70n60dm6_4-1621292.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1199.57 грн
10+1180.75 грн
25+631.90 грн
50+631.16 грн
100+558.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics stw70n60dm6-4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Version: ESD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Gate charge: 99nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 39A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1285.33 грн
2+858.36 грн
4+781.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics en.dm00614660.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 62A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics en.dm00614660.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 62A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics stw70n60dm6-4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.