Продукція > STMICROELECTRONICS > STW70N60DM6-4
STW70N60DM6-4

STW70N60DM6-4 STMicroelectronics

stw70n60dm6-4.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+857.20 грн
10+556.05 грн
100+413.91 грн
600+389.70 грн
1200+369.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW70N60DM6-4 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 31A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW70N60DM6-4 за ціною від 687.33 грн до 1116.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F3E0D2&compId=stw70n60dm6-4.pdf?ci_sign=6ade287e6920907fcd237dc5eaa9e4f2c8043c24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+930.34 грн
3+775.61 грн
10+687.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B69C72F3E0D2&compId=stw70n60dm6-4.pdf?ci_sign=6ade287e6920907fcd237dc5eaa9e4f2c8043c24 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247-4
Gate-source voltage: ±25V
Gate charge: 99nC
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 39A
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Case: TO247-4
Pulsed drain current: 220A
Power dissipation: 390W
Drain-source voltage: 600V
Version: ESD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1116.41 грн
3+966.53 грн
10+824.79 грн
30+742.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics en.dm00614660.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 62A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics en.dm00614660.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 62A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60DM6-4 STW70N60DM6-4 Виробник : STMicroelectronics stw70n60dm6-4.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.