
STW70N60DM6 STMicroelectronics
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 870.78 грн |
10+ | 756.22 грн |
25+ | 639.97 грн |
50+ | 604.01 грн |
100+ | 568.05 грн |
250+ | 554.84 грн |
600+ | 457.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW70N60DM6 STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 99nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±25V, Case: TO247, Pulsed drain current: 220A, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 39A, On-state resistance: 36mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 390W, Mounting: THT, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції STW70N60DM6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW70N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STW70N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STW70N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
STW70N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STW70N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
товару немає в наявності |
|
STW70N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 99nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Drain-source voltage: 600V Drain current: 39A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 390W Mounting: THT |
товару немає в наявності |