Продукція > STMICROELECTRONICS > STW70N60DM6

STW70N60DM6 STMicroelectronics

Name: STW70N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 4232780-4
Price: 948.13 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

на замовлення 126 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	948.13 грн
10+	643.07 грн
100+	536.49 грн
600+	371.53 грн
1200+	366.99 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STW70N60DM6 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247, Gate-source voltage: ±25V, Gate charge: 99nC, On-state resistance: 36mΩ, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Drain current: 39A, Case: TO247, Pulsed drain current: 220A, Power dissipation: 390W, Drain-source voltage: 600V, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції STW70N60DM6

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STW70N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 600V 62A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N60DM6	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 39A; Idm: 220A; 390W; TO247 Gate-source voltage: ±25V Gate charge: 99nC On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 39A Case: TO247 Pulsed drain current: 220A Power dissipation: 390W Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.