STW70N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 556.52 грн |
| 30+ | 370.78 грн |
| 120+ | 349.93 грн |
| 510+ | 315.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW70N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW70N60M2 за ціною від 311.21 грн до 781.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW70N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 450W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STW70N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2 |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STW70N60M2 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
STW70N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STW70N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STW70N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STW70N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STW70N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Version: ESD Technology: MDmesh™ || Plus Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247 Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT |
товару немає в наявності |