Продукція > ST > STW70N60M2
STW70N60M2

STW70N60M2

info-tstw70n60m2.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C; STW70N60M2 TSTW70N60M2
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+494.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW70N60M2 ST

Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 450W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm.

Інші пропозиції STW70N60M2 за ціною від 372.68 грн до 767.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW70N60M2 STW70N60M2 STMicroelectronics STW70N60M2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+632.61 грн
3+515.46 грн
5+472.78 грн
10+415.04 грн
30+402.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 STW70N60M2 STMicroelectronics en.DM00078630.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.21 грн
30+438.48 грн
120+372.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 STW70N60M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000135273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 450W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 STW70N60M2 STMicroelectronics en.DM00078630.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 STW70N60M2.pdf
STW70N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 43A; 450W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO247
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Power dissipation: 450W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
Drain current: 43A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+632.61 грн
3+515.46 грн
5+472.78 грн
10+415.04 грн
30+402.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 en.DM00078630.pdf
STW70N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 68A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+767.21 грн
30+438.48 грн
120+372.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 SGST-S-A0000135273-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STW70N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 68 A, 0.04 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 450W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STW70N60M2 en.DM00078630.pdf
STW70N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.