Продукція > STMICROELECTRONICS > STW70N65DM6-4

STW70N65DM6-4 STMICROELECTRONICS

Name: STW70N65DM6-4
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 2359131-6
Price: 1226.71 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

на замовлення 222 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	1226.71 грн
5+	947.61 грн
10+	812.59 грн
50+	708.68 грн
100+	613.24 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STW70N65DM6-4 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STW70N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 68 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STW70N65DM6-4

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STW70N65DM6-4	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N65DM6-4	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N65DM6-4	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 650V 68A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N65DM6-4	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 125nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N65DM6-4	Виробник : STMicroelectronics	Description: MOSFET N-CH 650V 68A TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N65DM6-4	Виробник : STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 650 V, 36 mOhm typ 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STW70N65DM6-4	Виробник : STMicroelectronics	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 43A; Idm: 260A; 450W; TO247-4 Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 125nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Case: TO247-4 Pulsed drain current: 260A Drain-source voltage: 650V Drain current: 43A On-state resistance: 36mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 450W Mounting: THT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.