STW72N60DM2AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 66A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5508 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 543.02 грн |
| 30+ | 342.01 грн |
| 120+ | 319.27 грн |
| 510+ | 264.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW72N60DM2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW72N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW72N60DM2AG за ціною від 428.35 грн до 879.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW72N60DM2AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW72N60DM2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 66 A, 0.037 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 66A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 446W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STW72N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STW72N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STW72N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STW72N60DM2AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 66A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |