Продукція > STMICROELECTRONICS > STW75N60M6
STW75N60M6

STW75N60M6 STMicroelectronics

stw75n60m6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+841.29 грн
10+580.09 грн
100+496.76 грн
600+305.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW75N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 72A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW75N60M6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STW75N60M6 STW75N60M6 STMicroelectronics stw75n60m6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6 STW75N60M6 STMicroelectronics stw75n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6 stw75n60m6.pdf
STW75N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N60M6 stw75n60m6.pdf
STW75N60M6
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 45A; Idm: 288A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 288A
Power dissipation: 446W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.