STW75N65DM6-4

STW75N65DM6-4 STMicroelectronics


stw75n65dm6_4-2887808.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
на замовлення 580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1098.62 грн
10+884.11 грн
30+707.73 грн
120+654.76 грн
270+631.95 грн
510+579.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW75N65DM6-4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STW75N65DM6-4 за ціною від 892.78 грн до 1132.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW75N65DM6-4 STW75N65DM6-4 Виробник : STMICROELECTRONICS 3672117.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1132.29 грн
5+1047.29 грн
10+962.28 грн
50+892.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4 Виробник : STMicroelectronics stw75n65dm6-4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4 Виробник : STMicroelectronics stw75n65dm6-4.pdf STW75N65DM6-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4 Виробник : STMicroelectronics stw75n65dm6-4.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B6E72A2A60D2&compId=stw75n65dm6-4.pdf?ci_sign=ef4b30f31ead0f165b8b900f269e346ebfe1e86e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 480W
Gate charge: 118nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 280A
Drain current: 47A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4 STW75N65DM6-4 Виробник : STMicroelectronics stw75n65dm6-4.pdf Description: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STW75N65DM6-4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9B6E72A2A60D2&compId=stw75n65dm6-4.pdf?ci_sign=ef4b30f31ead0f165b8b900f269e346ebfe1e86e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO247-4
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 480W
Gate charge: 118nC
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 280A
Drain current: 47A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.