STW75N65DM6-4 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1129.56 грн |
| 5+ | 1044.76 грн |
| 10+ | 959.96 грн |
| 50+ | 890.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW75N65DM6-4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW75N65DM6-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 75 A, 0.036 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 480W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW75N65DM6-4 за ціною від 584.19 грн до 1138.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW75N65DM6-4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STW75N65DM6-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STW75N65DM6-4 | Виробник : STMicroelectronics |
STW75N65DM6-4 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STW75N65DM6-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 75A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| STW75N65DM6-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 480W Gate charge: 118nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 280A Drain current: 47A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STW75N65DM6-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 33 MOHM TYP., 7 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STW75N65DM6-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 47A; Idm: 280A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: TO247-4 On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 480W Gate charge: 118nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 280A Drain current: 47A |
товару немає в наявності |