
STW77N65M5 STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41.5A
Power dissipation: 400W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1042.33 грн |
2+ | 829.94 грн |
3+ | 783.96 грн |
10+ | 754.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW77N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 34.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): 25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW77N65M5 за ціною від 624.44 грн до 1250.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW77N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 34.5A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 100 V |
на замовлення 634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW77N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW77N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 400W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 400W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STW77N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STW77N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STW77N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |