
STW78N65M5 STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH Si 650V 69A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
600+ | 779.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW78N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STW78N65M5 за ціною від 754.64 грн до 1825.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34.5A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 69A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 450W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 41.5A; 450W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41.5A Power dissipation: 450W Case: TO247 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |