STW78N65M5 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 996.91 грн |
| 5+ | 944.06 грн |
| 10+ | 890.39 грн |
| 50+ | 777.71 грн |
| 100+ | 671.89 грн |
| 250+ | 626.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW78N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW78N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 69A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STW78N65M5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| STW78N65M5 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 650V 69A TO247 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||
 |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 69A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34.5A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
STW78N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM) |
товару немає в наявності |