Продукція > STMICROELECTRONICS > STW7N105K5
STW7N105K5

STW7N105K5 STMicroelectronics

stp7n105k5-1851360.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.68 грн
10+188.73 грн
25+123.78 грн
100+112.66 грн
250+105.01 грн
600+97.36 грн
1200+92.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STW7N105K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STW7N105K5 за ціною від 115.92 грн до 267.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STW7N105K5 STW7N105K5 Виробник : STMicroelectronics stw7n105k5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.05kV; 3A; Idm: 16A; 110W; TO247
Case: TO247
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 3A
Power dissipation: 110W
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.05kV
Kind of channel: enhancement
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.31 грн
10+154.02 грн
30+132.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STW7N105K5 STW7N105K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00112876.pdf Description: MOSFET N-CH 1050V 4A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 100 V
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.56 грн
30+141.46 грн
120+115.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.