STW88N65M5-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1137.73 грн |
| 30+ | 679.07 грн |
| 120+ | 592.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW88N65M5-4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V, Power Dissipation (Max): 450W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STW88N65M5-4 за ціною від 576.40 грн до 1156.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 204nC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Pulsed drain current: 336A |
товару немає в наявності |