STW88N65M5-4 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STW88N65M5-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1040.96 грн |
| 5+ | 1040.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW88N65M5-4 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STW88N65M5-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW88N65M5-4 за ціною від 650.84 грн до 1335.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 450W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V |
на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Pulsed drain current: 336A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Gate charge: 204nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товару немає в наявності |