STW88N65M5-4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 450W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8825 pF @ 100 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 904.24 грн |
| 30+ | 677.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STW88N65M5-4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STW88N65M5-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 84A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STW88N65M5-4 за ціною від 815.30 грн до 1011.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STW88N65M5-4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 84 A, 0.024 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 450W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ 84 A MDmesh M5 Power MOSFET |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||
| STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 84A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |
||||||||
| STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 204nC Pulsed drain current: 336A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||
| STW88N65M5-4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 50.5A; Idm: 336A; 450W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 50.5A Power dissipation: 450W Case: TO247-4 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 24mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 204nC Pulsed drain current: 336A |
товару немає в наявності |